首页 > 商品目录 > > > > BUK969R0-60E,118代替型号比较

BUK969R0-60E,118  与  IRFS3607PBF  区别

型号 BUK969R0-60E,118 IRFS3607PBF
唯样编号 A36-BUK969R0-60E,118 A-IRFS3607PBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 8mΩ@20A,10V 9mΩ@46A,10V
漏源极电压Vds 60V 75V
Pd-功率耗散(Max) 137W 140W(Tc)
输出电容 305pF -
栅极电压Vgs ±10V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT404 D2PAK
工作温度 -55°C~175°C -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 75A 80A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 100µA
输入电容 3263pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3070pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 84nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 100µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3070pF @ 50V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 84nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BUK969R0-60E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK969R0-60E_SOT404 N-Channel 8mΩ@20A,10V 137W -55°C~175°C ±10V 60V 75A

暂无价格 0 当前型号
IRF1010NSTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 180W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 11mΩ@43A,10V N-Channel 55V 85A D2PAK

暂无价格 0 对比
AOB1608L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263 N-Channel 60V 20V 140A 333W 7.3mΩ@10V

暂无价格 0 对比
IRF3205STRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 8mΩ@62A,10V N-Channel 55V 110A D2PAK

暂无价格 0 对比
IRFS3607PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 140W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 9mΩ@46A,10V N-Channel 75V 80A D2PAK

暂无价格 0 对比
IPB054N06N3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB054N06N3GATMA1_60V 80A 4.4mΩ 20V 115W N-Channel -55°C~175°C

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售