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BUK764R0-55B,118  与  IRF1405ZSTRLPBF  区别

型号 BUK764R0-55B,118 IRF1405ZSTRLPBF
唯样编号 A36-BUK764R0-55B,118 A-IRF1405ZSTRLPBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK N-Channel 55 V 4.9 mO HexFet Power Mosfet - TO-262
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 4.9mΩ@75A,10V
漏源极电压Vds 55V 55V
Pd-功率耗散(Max) 300W 230W(Tc)
输出电容 1054pF -
栅极电压Vgs 3V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT404 D2PAK
工作温度 175℃ -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 75A 150A
系列 - HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
输入电容 5082pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 4780pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 180nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
Rds On(max)@Id,Vgs 4mΩ@10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 4780pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 180nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BUK764R0-55B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK764R0-55B_SOT404 N-Channel 300W 175℃ 3V 55V 75A

暂无价格 0 当前型号
IRF3205SPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 8mΩ@62A,10V N-Channel 55V 110A D2PAK

暂无价格 0 对比
IRFS7540PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 160W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 5.1mΩ@65A,10V N-Channel 60V 110A D2PAK

暂无价格 0 对比
IRF3205STRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 8mΩ@62A,10V N-Channel 55V 110A D2PAK

暂无价格 0 对比
IRF3205STRRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 8mΩ@62A,10V N-Channel 55V 110A D2PAK

暂无价格 0 对比
IRF1405ZSTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 230W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 4.9mΩ@75A,10V N-Channel 55V 150A D2PAK

暂无价格 0 对比

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