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BUK6607-55C,118  与  AUIRF3808S  区别

型号 BUK6607-55C,118 AUIRF3808S
唯样编号 A36-BUK6607-55C,118 A-AUIRF3808S
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF3808S, 106 A, Vds=75 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.65mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 7mΩ
产品特性 - 车规
引脚数目 - 3
最小栅阈值电压 - 2V
栅极电压Vgs 2.3V -
封装/外壳 SOT404 -
工作温度 175℃ -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 100A 106A
输入电容 3870pF -
长度 - 10.67mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
每片芯片元件数目 - 1 Ohms
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 5310pF @ 25V
高度 - 4.83mm
类别 - 功率 MOSFET
典型关断延迟时间 - 68 ns
漏源极电压Vds 55V -
晶体管材料 - Si
Pd-功率耗散(Max) 158W 200W
晶体管配置 -
输出电容 381pF -
FET类型 N-Channel -
系列 - HEXFET
Rds On(max)@Id,Vgs 6.5mΩ@10V,10.2mΩ@4.5V,8.7mΩ@5V -
典型接通延迟时间 - 16 ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 220nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BUK6607-55C,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK6607-55C_SOT404 N-Channel 158W 175℃ 2.3V 55V 100A

暂无价格 0 当前型号
IRFS3307ZPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 230W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 5.8mΩ@75A,10V N-Channel 75V 120A D2PAK

暂无价格 0 对比
IRF3205ZSTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 170W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 6.5mΩ@66A,10V N-Channel 55V 110A D2PAK

暂无价格 0 对比
AUIRF3205ZSTRL Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) 44A 6.5mΩ 20V 170W N-Channel TO-263-3 55V 车规

暂无价格 0 对比
AUIRF3808S Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) 106A 7mΩ 200W 车规

暂无价格 0 对比
AOB1608L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263 N-Channel 60V 20V 140A 333W 7.3mΩ@10V

暂无价格 0 对比

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