BSS63LT1G 与 PBSS9110T,215 区别
| 型号 | BSS63LT1G | PBSS9110T,215 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-BSS63LT1G | A-PBSS9110T,215 | ||||
| 制造商 | ON Semiconductor | Nexperia | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||||
| 描述 | PBSS9110T Series 100 V 1 A SMT PNP Low VCEsat (BISS) Transistor - SOT-23-3 | |||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 功率耗散Pd | 225mW | 480mW | ||||
| 特征频率fT | 95MHz | 100MHz | ||||
| 集电极-射极饱和电压 | -250mV | -320mV | ||||
| 封装/外壳 | SOT-23 | SOT-23 | ||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -65°C~150°C | ||||
| VCBO | - | -120V | ||||
| VEBO | - | -5V | ||||
| 尺寸 | - | 2.9*1.3*1 | ||||
| 集电极连续电流 | -100mA | -1A | ||||
| 直流电流增益hFE | 30 | 150 | ||||
| 集电极-发射极最大电压VCEO | -100V | -100V | ||||
| 晶体管类型 | PNP | PNP | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 496 | 1,999 | ||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 5天 | ||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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BSS63LT1G | ON Semiconductor | BJT三极管 |
SOT-23 225mW -100V -100mA -250mV 30 95MHz PNP |
￥0.3718
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496 | 当前型号 | |||||||||||||
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FMMT593TC | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
300mV 100 SOT-23-3 500mW 100V 1A 50MHz PNP |
￥1.3481
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6,536 | 对比 | ||||||||||||
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FMMT593TA | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-23 500mW -100V -1A -300mV 100 50MHz PNP |
￥0.7359
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2,551 | 对比 | ||||||||||||
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PBSS9110T,215 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-23 480mW -100V -1A -320mV 150 100MHz PNP |
暂无价格 | 1,999 | 对比 | ||||||||||||
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BSS63,215 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-23 250mW -100V -100mA -250mV 30 85MHz PNP |
￥0.6006
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1,489 | 对比 | ||||||||||||
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PBSS9110T,215 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-23 480mW -100V -1A -320mV 150 100MHz PNP |
￥1.375
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313 | 对比 |
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