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BSS314PEH6327XTSA1  与  AO3409  区别

型号 BSS314PEH6327XTSA1 AO3409
唯样编号 A36-BSS314PEH6327XTSA1 A36-AO3409
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 26
功率耗散(最大值) 500mW(Ta) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 110mΩ@-2.6A,-10V
Rds On(Max)@4.5V - 180mΩ
Qgd(nC) - 1.1
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 294pF @ 15V -
栅极电压Vgs - ±20V
Td(on)(ns) - 7.5
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23-3
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 2.9nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55℃~150℃
连续漏极电流Id - -2.6A
Ciss(pF) - 197
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 140 毫欧 @ 1.5A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
Trr(ns) - 11.3
Td(off)(ns) - 11.8
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - -30V
Pd-功率耗散(Max) - 1.4W
Qrr(nC) - 4.4
VGS(th) - -2.4
FET类型 P 通道 P-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2V @ 6.3uA -
25°C时电流-连续漏极(Id) 1.5A(Ta) -
漏源电压(Vdss) 30V -
Coss(pF) - 42
Qg*(nC) - 2.2
库存与单价
库存 2,182 7,778
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
80+ :  ¥0.6952
200+ :  ¥0.5655
1,500+ :  ¥0.5148
90+ :  ¥0.6149
200+ :  ¥0.3965
1,500+ :  ¥0.3458
3,000+ :  ¥0.3055
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSS314PEH6327XTSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSS314PE H6327_TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

¥0.6952 

阶梯数 价格
80: ¥0.6952
200: ¥0.5655
1,500: ¥0.5148
2,182 当前型号
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AO3409 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3

¥0.6149 

阶梯数 价格
90: ¥0.6149
200: ¥0.3965
1,500: ¥0.3458
3,000: ¥0.3055
7,778 对比
AO3403 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3

¥0.7304 

阶梯数 价格
70: ¥0.7304
200: ¥0.5564
488 对比
AO3403 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3

暂无价格 0 对比
DMP3160L-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23 2.9mm

暂无价格 0 对比

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