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BSS314PEH6327XTSA1  与  DMP3160L-7  区别

型号 BSS314PEH6327XTSA1 DMP3160L-7
唯样编号 A36-BSS314PEH6327XTSA1 A-DMP3160L-7
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3 P Channel 30 V 190 mO 1.08 W 8.2 nC Surface Mount Power MosFet - SOT-23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 500mW(Ta) -
宽度 - 1.3mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 122mΩ
上升时间 - 7.3ns
Qg-栅极电荷 - 8.2nC
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 294pF @ 15V -
栅极电压Vgs - 1.3V
正向跨导 - 最小值 - 5.9S
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 2.9nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 2.7A
配置 - Single
长度 - 2.9mm
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 140 毫欧 @ 1.5A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
下降时间 - 13.4ns
高度 - 1mm
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) - 1.08W
典型关闭延迟时间 - 22.5ns
FET类型 P 通道 -
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2V @ 6.3uA -
系列 - DMP31
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 227pF @ 10V
25°C时电流-连续漏极(Id) 1.5A(Ta) -
漏源电压(Vdss) 30V -
典型接通延迟时间 - 4.8ns
库存与单价
库存 2,182 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
80+ :  ¥0.6952
200+ :  ¥0.5655
1,500+ :  ¥0.5148
暂无价格
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