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BSS214NH6327XTSA1  与  DMN2300U-7  区别

型号 BSS214NH6327XTSA1 DMN2300U-7
唯样编号 A36-BSS214NH6327XTSA1 A3-DMN2300U-7
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT23-3 N-Channel 20 V 80 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 500mW(Ta) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 175mΩ
上升时间 - 2.8ns
Qg-栅极电荷 - 1.6nC
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 143pF @ 10V -
栅极电压Vgs - 450mV
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 0.8nC @ 5V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 1.4A
配置 - Single
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 140 毫欧 @ 1.5A,4.5V -
Vgs(最大值) ±12V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 2.5V,4.5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 1.8V,4.5V
下降时间 - 13ns
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 20V
Pd-功率耗散(Max) - 0.55W
典型关闭延迟时间 - 38ns
FET类型 N 通道 -
不同Id时Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 3.7uA -
系列 - DMN22
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 950mV @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 64.3pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 1.6nC @ 4.5V
25°C时电流-连续漏极(Id) 1.5A(Ta) -
漏源电压(Vdss) 20V -
典型接通延迟时间 - 3.5ns
库存与单价
库存 23,953 75,000
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
80+ :  ¥0.7084
200+ :  ¥0.5408
1,500+ :  ¥0.4706
3,000+ :  ¥0.416
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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BSS214N H6327_TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

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