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BSS127S-7  与  BSS127SSN-7  区别

型号 BSS127S-7 BSS127SSN-7
唯样编号 A36-BSS127S-7 A36-BSS127SSN-7
制造商 Diodes Incorporated Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET MOSFET N-CH 600V 50MA SC59
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 160Ω -
上升时间 7.2ns -
漏源极电压Vds 600V 600V
Pd-功率耗散(Max) 1.25W 610mW(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 160Ω@16mA,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 21.8 pF @ 25 V
栅极电压Vgs 3V ±20V
典型关闭延迟时间 28.7ns -
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 1.08 nC @ 10 V
封装/外壳 SOT-23 SOT-23-3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id 70mA 50mA(Ta)
配置 Single -
系列 BSS127 -
通道数量 1Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250µA -
驱动电压 - 5V,10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 21.8pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 1.08nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 5V,10V -
下降时间 168ns -
典型接通延迟时间 5ns -
库存与单价
库存 9,858 2,800
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
90+ :  ¥0.5753
200+ :  ¥0.4394
1,500+ :  ¥0.3822
3,000+ :  ¥0.338
60+ :  ¥0.8448
200+ :  ¥0.583
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSS127S-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOT-23 70mA 1.25W 160Ω 600V 3V N-Channel

¥0.5753 

阶梯数 价格
90: ¥0.5753
200: ¥0.4394
1,500: ¥0.3822
3,000: ¥0.338
9,858 当前型号
BSS127SSN-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

N-Channel 610mW(Ta) ±20V SOT-23-3 -55℃~150℃(TJ) 600V 50mA(Ta)

¥0.8448 

阶梯数 价格
60: ¥0.8448
200: ¥0.583
2,800 对比
BSS127SSN-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

N-Channel 610mW(Ta) ±20V SOT-23-3 -55℃~150℃(TJ) 600V 50mA(Ta)

暂无价格 0 对比
BSS126IXTSA1 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

N 通道 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 -55°C ~ 150°C(TJ) 车规

暂无价格 0 对比

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