| 型号 | BSS123TA | BSS123 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-BSS123TA | A36-BSS123-4 | ||||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | ON Semiconductor | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 小信号MOSFET | MOSFET | ||||||||
| 描述 | BSS123 Series 100 V 6 Ohm N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET- SOT-23 | N-Channel 100 V 6 Ohm Logic Level Enhancement Mode FET - SOT-23-3 | ||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-23 | SOT-23-3 | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 0.17A | - | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 6Ω@100mA,10V | - | ||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.8V @ 1mA | - | ||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 20pF @ 25V | - | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 100V | - | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 360mW(Ta) | - | ||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - | ||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | - | ||||||||
| FET类型 | N-Channel | - | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 186 | 13,307 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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BSS123TA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±20V 360mW(Ta) 6Ω@100mA,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 100V 0.17A |
￥0.5984
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186 | 当前型号 | ||||||||||
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BSS123,215 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
TO-236AB N-Channel 0.25W 150°C 20V 100V 0.15A |
￥0.6369
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28,259 | 对比 | ||||||||||
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BSS123 | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SOT-23-3 |
￥0.4849
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13,307 | 对比 | ||||||||||
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BSS123N H6327 | Infineon | 数据手册 | 小信号MOSFET |
100V 190mA 2.4Ω 20V 500mW(1/2W) N-Channel -55°C~150°C 车规 |
暂无价格 | 3,000 | 对比 | ||||||||||
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BSS123,215 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
TO-236AB N-Channel 0.25W 150°C 20V 100V 0.15A |
暂无价格 | 84 | 对比 | ||||||||||
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PMV213SN,215 | Nexperia | 数据手册 | 通用MOSFET |
SOT23 N-Channel 250mΩ@500mA,10V 280mW -55°C~150°C ±30V 100V 1.9A |
暂无价格 | 15 | 对比 |
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