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BSS123TA  与  BSS123,215  区别

型号 BSS123TA BSS123,215
唯样编号 A36-BSS123TA A-BSS123,215
制造商 Diodes Incorporated Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述 BSS123 Series 100 V 6 Ohm N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET- SOT-23 BSS Series 100 V 6 O 25 mW N-Channel TrenchMOS Logic Level FET - SOT-23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 6Ω@100mA,10V -
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 360mW(Ta) 0.25W
输出电容 - 6pF
栅极电压Vgs ±20V 20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT-23 TO-236AB
工作温度 -55°C~150°C(TJ) 150℃
连续漏极电流Id 0.17A 0.15A
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.8V @ 1mA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 20pF @ 25V -
输入电容 - 23pF
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
库存与单价
库存 478 94
工厂交货期 3 - 15天 3 - 5天
单价(含税)
90+ :  ¥0.5984
200+ :  ¥0.4563
1+ :  ¥0.4565
100+ :  ¥0.3458
1,000+ :  ¥0.2702
1,500+ :  ¥0.2214
3,000+ :  ¥0.1926
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSS123TA Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

±20V 360mW(Ta) 6Ω@100mA,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 100V 0.17A

¥0.5984 

阶梯数 价格
90: ¥0.5984
200: ¥0.4563
478 当前型号
PMV213SN,215 Nexperia  数据手册 通用MOSFET

PMV213SN_SOT23 N-Channel 250mΩ@500mA,10V 280mW -55°C~150°C ±30V 100V 1.9A

¥0.9548 

阶梯数 价格
60: ¥0.9548
200: ¥0.7348
1,500: ¥0.6391
3,000: ¥0.594
42,211 对比
BSS123,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

BSS123_TO-236AB N-Channel 0.25W 150℃ 20V 100V 0.15A

¥0.216 

阶梯数 价格
240: ¥0.216
1,500: ¥0.186
3,000: ¥0.165
12,737 对比
BSS123,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

BSS123_TO-236AB N-Channel 0.25W 150℃ 20V 100V 0.15A

¥0.4565 

阶梯数 价格
1: ¥0.4565
100: ¥0.3458
1,000: ¥0.2702
1,500: ¥0.2214
3,000: ¥0.1926
94 对比
PMV213SN,215 Nexperia  数据手册 通用MOSFET

PMV213SN_SOT23 N-Channel 250mΩ@500mA,10V 280mW -55°C~150°C ±30V 100V 1.9A

¥1.5786 

阶梯数 价格
560: ¥1.5786
1,000: ¥1.2333
1,500: ¥1.0109
3,000: ¥0.879
0 对比
BSS123N H6327 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSS123NH6327XTSA1_100V 190mA 2.4Ω 20V 500mW(1/2W) N-Channel -55°C~150°C 车规

暂无价格 0 对比

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