BSS123 与 BSS123-7-F 区别
| 型号 | BSS123 | BSS123-7-F | ||||||||||||||
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| 唯样编号 | A36-BSS123-4 | A36-BSS123-7-F | ||||||||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | Diodes Incorporated | ||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||
| 分类 | MOSFET | 小信号MOSFET | ||||||||||||||
| 描述 | N-Channel 100 V 6 Ohm Logic Level Enhancement Mode FET - SOT-23-3 | |||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||
| 宽度 | - | 1.3mm | ||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 6Ω@170mA,10V | ||||||||||||||
| 上升时间 | - | 8ns | ||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 100V | ||||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 300mW | ||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||||||||||||
| 典型关闭延迟时间 | - | 13ns | ||||||||||||||
| 正向跨导 - 最小值 | - | 0.08S | ||||||||||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-23-3 | SOT-23 | ||||||||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 170mA | ||||||||||||||
| 系列 | - | BSS123 | ||||||||||||||
| 通道数量 | - | 1Channel | ||||||||||||||
| 配置 | - | Single | ||||||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2V @ 1mA | ||||||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 60pF @ 25V | ||||||||||||||
| 长度 | - | 2.9mm | ||||||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V | ||||||||||||||
| 下降时间 | - | 8ns | ||||||||||||||
| 典型接通延迟时间 | - | 8ns | ||||||||||||||
| 高度 | - | 1mm | ||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||
| 库存 | 13,307 | 25,129 | ||||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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BSS123 | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SOT-23-3 |
￥0.4849
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13,307 | 当前型号 | ||||||||||
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BSS123,215 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
TO-236AB N-Channel 0.25W 150°C 20V 100V 0.15A |
￥0.6369
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28,259 | 对比 | ||||||||||
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BSS123-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23 170mA 300mW 6Ω@170mA,10V 100V ±20V N-Channel |
￥0.6655
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25,129 | 对比 | ||||||||||
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BSS123-TP | MCC | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT-23 |
暂无价格 | 3,000 | 对比 | ||||||||||
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BSS123W-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±20V 200mW(Ta) 6Ω@170mA,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-323 N-Channel 100V 0.17A |
￥0.288
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1,116 | 对比 | ||||||||||
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BSS123TA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±20V 360mW(Ta) 6Ω@100mA,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 100V 0.17A |
￥0.5984
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186 | 对比 |
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