BSP89,115 与 ZXMN10A25GTA 区别
| 型号 | BSP89,115 | ZXMN10A25GTA | ||||||||||
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| 唯样编号 | A36-BSP89,115 | A36-ZXMN10A25GTA | ||||||||||
| 制造商 | Nexperia | Diodes Incorporated | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 240V 375MA SOT223 | MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223 | ||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| 功率耗散(最大值) | 1.5W | - | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 100V | ||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 2W(Ta) | ||||||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 125mΩ@2.9A,10V | ||||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 859 pF @ 50 V | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | - | 17 nC @ 10 V | ||||||||||
| 封装/外壳 | SOT223 | SOT-223-3 | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | 0.375A | 2.9A(Ta) | ||||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||
| 驱动电压 | - | 10V | ||||||||||
| Rds On(max)@Id,Vgs | 7500mΩ@4.5V,5000mΩ@10V | - | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 80 | 2,000 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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BSP89,115 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT223 N-Channel 0.375A |
￥2.321
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80 | 当前型号 | ||||||||
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ZVN2120GTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 2W(Ta) ±20V SOT-223-3 -55°C~150°C(TJ) 200V 320mA(Ta) |
￥2.662
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2,014 | 对比 | ||||||||
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ZXMN10A25GTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 2W(Ta) ±20V SOT-223-3 -55°C~150°C(TJ) 100V 2.9A(Ta) |
￥4.103
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2,000 | 对比 | ||||||||
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ZVN4424GTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±40V 2.5W(Ta) 5.5Ω@500mA,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 240V 0.5A |
￥1.947
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758 | 对比 | ||||||||
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BSP89 H6327 | Infineon | 小信号MOSFET |
240V 350mA 4.2Ω 20V 1.8W N-Channel -55°C~150°C 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||
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SIHFL214-GE3 | Vishay | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 |
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