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BSP122,115  与  STN1HNK60  区别

型号 BSP122,115 STN1HNK60
唯样编号 A36-BSP122,115 A36-STN1HNK60-0
制造商 Nexperia STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 200V 550MA SOT223 N-Channel 600 V 10 nC Surface Mount SuperMESH Power MosFet - SOT-223
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 1.5W -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 8.5Ω@500mA,10V
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 3.3W(Tc)
栅极电压Vgs - ±30V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT223 SOT-223
连续漏极电流Id 0.55A 0.4A
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
系列 - SuperMESH™
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3.7V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 156pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 10nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
Rds On(max)@Id,Vgs 2500mΩ@10V -
库存与单价
库存 0 4,168
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
70+ :  ¥0.7841
4,000+ :  ¥0.7277
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSP122,115 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BSP122_SOT223 N-Channel 0.55A

暂无价格 0 当前型号
STN1HNK60 STMicro  数据手册 功率MOSFET

±30V 3.3W(Tc) 8.5Ω@500mA,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 600V 0.4A

暂无价格 244,000 对比
STN1HNK60 STMicro  数据手册 功率MOSFET

±30V 3.3W(Tc) 8.5Ω@500mA,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 600V 0.4A

¥1.496 

阶梯数 价格
40: ¥1.496
100: ¥1.155
1,000: ¥0.9581
2,000: ¥0.8712
4,000: ¥0.8085
46,984 对比
STN1HNK60 STMicro  数据手册 功率MOSFET

±30V 3.3W(Tc) 8.5Ω@500mA,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 600V 0.4A

¥0.7841 

阶梯数 价格
70: ¥0.7841
4,000: ¥0.7277
4,168 对比
ZVNL110GTA Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 1.1W(Ta) ±20V SOT-223-3 -55℃~150℃(TJ) 100V 600mA(Ta)

¥2.827 

阶梯数 价格
20: ¥2.827
50: ¥2.167
1,000: ¥2.002
1,626 对比
ZVN0545GTA Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 2W(Ta) 50Ω@100mA,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 450V 0.14A

¥2.321 

阶梯数 价格
30: ¥2.321
50: ¥1.793
1,000: ¥1.65
1,157 对比

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