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BSN20BKR  与  2N7002H6327XTSA2  区别

型号 BSN20BKR 2N7002H6327XTSA2
唯样编号 A36-BSN20BKR A36-2N7002H6327XTSA2
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 265MA TO236AB MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 500mW(Ta)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 60V -
Pd-功率耗散(Max) 0.31W -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 20pF @ 25V
输出电容 3.1pF -
栅极电压Vgs 20V,1V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 SOT23 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
工作温度 150℃ -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 0.265A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 250uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 0.6nC @ 10V
输入电容 20.2pF -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 3 欧姆 @ 500mA,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 300mA(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
Rds On(max)@Id,Vgs 4000mΩ@2.5V,3200mΩ@5V,2800mΩ@10V -
漏源电压(Vdss) - 60V
库存与单价
库存 12,868 24,087
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
140+ :  ¥0.3718
200+ :  ¥0.276
1,500+ :  ¥0.24
3,000+ :  ¥0.213
110+ :  ¥0.4719
200+ :  ¥0.3042
1,500+ :  ¥0.2639
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSN20BKR Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

BSN20BK_SOT23

¥0.3718 

阶梯数 价格
140: ¥0.3718
200: ¥0.276
1,500: ¥0.24
3,000: ¥0.213
12,868 当前型号
DMN65D8L-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

暂无价格 129,000 对比
DMN67D7L-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-23-3

暂无价格 79,500 对比
DMN65D8L-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

¥0.5874 

阶梯数 价格
90: ¥0.5874
200: ¥0.2685
1,500: ¥0.1665
3,000: ¥0.1152
33,990 对比
2N7002H6327XTSA2 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

2N7002 H6327_TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

¥0.4719 

阶梯数 价格
110: ¥0.4719
200: ¥0.3042
1,500: ¥0.2639
24,087 对比
ZVN4106FTA Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

¥1.76 

阶梯数 价格
30: ¥1.76
100: ¥1.353
750: ¥1.133
1,500: ¥1.0252
3,000: ¥0.9405
5,892 对比

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