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BSH111BKR  与  SN7002NH6327XTSA2  区别

型号 BSH111BKR SN7002NH6327XTSA2
唯样编号 A36-BSH111BKR A-SN7002NH6327XTSA2
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述 Single N-Channel 55 V 364 mW 0.5 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-23 MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 360mW(Ta)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 55V -
产品特性 - 车规
Pd-功率耗散(Max) 0.302W -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 45pF @ 25V
输出电容 2.7pF -
栅极电压Vgs ±10V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 SOT23 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
工作温度 150℃ -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 0.21A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 1.8V @ 26uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 1.5nC @ 10V
输入电容 19.1pF -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 5 欧姆 @ 500mA,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 200mA(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
Rds On(max)@Id,Vgs 4Ω@200mA,4.5V -
漏源电压(Vdss) - 60V
库存与单价
库存 5,217 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
90+ :  ¥0.5863
200+ :  ¥0.3796
1,500+ :  ¥0.3289
3,000+ :  ¥0.2912
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSH111BKR Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

BSH111BK_SOT23 N-Channel 0.302W 150℃ ±10V 55V 0.21A

¥0.5863 

阶梯数 价格
90: ¥0.5863
200: ¥0.3796
1,500: ¥0.3289
3,000: ¥0.2912
5,217 当前型号
ZVN3306FTA Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 330mW(Ta) ±20V SOT-23-3 -55℃~150℃(TJ) 60V 150mA(Ta)

¥1.0879 

阶梯数 价格
50: ¥1.0879
200: ¥0.836
1,500: ¥0.7271
3,000: ¥0.6765
4,570 对比
SN7002NH6327XTSA2 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

SN7002N H6327_N 通道 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 -55°C ~ 150°C(TJ) 车规

暂无价格 0 对比
2N7002K MCC  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

暂无价格 0 对比
SN7002NH6433XTMA1 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

SN7002N H6433_N 通道 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 -55°C ~ 150°C(TJ) 车规

暂无价格 0 对比
SN7002N E6327 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

N 通道 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 -55°C ~ 150°C(TJ) 车规

暂无价格 0 对比

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