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BSH108,215  与  DMN3300U-7  区别

型号 BSH108,215 DMN3300U-7
唯样编号 A36-BSH108,215 A3-DMN3300U-7
制造商 Nexperia Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述 BSH Series 30 V 120 mO 0.83 W N-Channel Enhancement Mode Transistor - SOT-23-3 N-Channel 30 V 150 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 150mΩ@4.5A,4.5V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 0.83W 700mW(Ta)
输出电容 70pF -
栅极电压Vgs 1.5V,20V ±12V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT23 SOT-23
工作温度 150℃ -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 1.9A 2A
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
输入电容 190pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 193pF @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 1.5V,4.5V
Rds On(max)@Id,Vgs 140mΩ@5V,120mΩ@10V -
库存与单价
库存 2 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSH108,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

BSH108_SOT23 N-Channel 0.83W 150℃ 1.5V,20V 30V 1.9A

暂无价格 2 当前型号
FDN357N ON Semiconductor 通用MOSFET

1.9A(Ta) ±20V 500mW(Ta) 60m Ohms@2.2A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SuperSOT N-Channel 30V 1.9A 60 毫欧 @ 2.2A,10V -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 12,000 对比
2N7002LT1G ON Semiconductor 小信号MOSFET

N-Channel ±20V 7.5 欧姆 @ 500mA,10V -55°C ~ 150°C(TJ) SOT-23 60V 0.115A

暂无价格 1 对比
IRLML9303TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 1.25W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 165mΩ@2.3A,10V P-Channel 30V 2.3A Micro3™/SOT-23

暂无价格 0 对比
DMN3300U-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

±12V 700mW(Ta) 150mΩ@4.5A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 30V 2A

暂无价格 0 对比
FDN357N ON Semiconductor 通用MOSFET

1.9A(Ta) ±20V 500mW(Ta) 60m Ohms@2.2A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SuperSOT N-Channel 30V 1.9A 60 毫欧 @ 2.2A,10V -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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