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BSH108,215  与  IRLML9303TRPBF  区别

型号 BSH108,215 IRLML9303TRPBF
唯样编号 A36-BSH108,215 A-IRLML9303TRPBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 功率MOSFET
描述 BSH Series 30 V 120 mO 0.83 W N-Channel Enhancement Mode Transistor - SOT-23-3 Single N-Channel 30 V 1.25 W 2 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - MICRO-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 165mΩ@2.3A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 0.83W 1.25W(Ta)
输出电容 70pF -
栅极电压Vgs 1.5V,20V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 4.5V
FET类型 N-Channel P-Channel
封装/外壳 SOT23 Micro3™/SOT-23
工作温度 150℃ -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 1.9A 2.3A
系列 - HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.4V @ 10µA
输入电容 190pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 160pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 2nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
Rds On(max)@Id,Vgs 140mΩ@5V,120mΩ@10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.4V @ 10µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 160pF
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 2nC
库存与单价
库存 2 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSH108,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

BSH108_SOT23 N-Channel 0.83W 150℃ 1.5V,20V 30V 1.9A

暂无价格 2 当前型号
FDN357N ON Semiconductor 通用MOSFET

1.9A(Ta) ±20V 500mW(Ta) 60m Ohms@2.2A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SuperSOT N-Channel 30V 1.9A 60 毫欧 @ 2.2A,10V -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 12,000 对比
2N7002LT1G ON Semiconductor 小信号MOSFET

N-Channel ±20V 7.5 欧姆 @ 500mA,10V -55°C ~ 150°C(TJ) SOT-23 60V 0.115A

暂无价格 1 对比
IRLML9303TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 1.25W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 165mΩ@2.3A,10V P-Channel 30V 2.3A Micro3™/SOT-23

暂无价格 0 对比
DMN3300U-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

±12V 700mW(Ta) 150mΩ@4.5A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 30V 2A

暂无价格 0 对比
FDN357N ON Semiconductor 通用MOSFET

1.9A(Ta) ±20V 500mW(Ta) 60m Ohms@2.2A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SuperSOT N-Channel 30V 1.9A 60 毫欧 @ 2.2A,10V -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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