BSH105,215 与 DMN2300U-7 区别
| 型号 | BSH105,215 | DMN2300U-7 | ||||||||||
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| 唯样编号 | A36-BSH105,215 | A36-DMN2300U-7 | ||||||||||
| 制造商 | Nexperia | Diodes Incorporated | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 小信号MOSFET | 小信号MOSFET | ||||||||||
| 描述 | N-Channel 20 V 200 mO 417 mW Enhancement Mode MOS Transistor - SOT-23 | N-Channel 20 V 80 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT23 | ||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 175mΩ | ||||||||||
| 上升时间 | - | 2.8ns | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | 20V | 20V | ||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 0.17W | 0.55W | ||||||||||
| Qg-栅极电荷 | - | 1.6nC | ||||||||||
| 输出电容 | 71pF | - | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±8V | 450mV | ||||||||||
| 典型关闭延迟时间 | - | 38ns | ||||||||||
| FET类型 | N-Channel | - | ||||||||||
| 封装/外壳 | SOT23 | SOT-23 | ||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | 1.05A | 1.4A | ||||||||||
| 系列 | - | DMN22 | ||||||||||
| 通道数量 | - | 1Channel | ||||||||||
| 配置 | - | Single | ||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 950mV @ 250µA | ||||||||||
| 输入电容 | 152pF | - | ||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 64.3pF @ 25V | ||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 1.6nC @ 4.5V | ||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 1.8V,4.5V | ||||||||||
| Rds On(max)@Id,Vgs | 200mΩ@600mA,4.5V | - | ||||||||||
| 下降时间 | - | 13ns | ||||||||||
| 典型接通延迟时间 | - | 3.5ns | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 1,946 | 1,294 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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BSH105,215 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT23 N-Channel 0.17W -55°C~150°C ±8V 20V 1.05A |
￥1.0604
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1,946 | 当前型号 | ||||||||||||||
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ZXM61N02FTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±12V 625mW(Ta) 180mΩ@930mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 20V 1.7A |
￥1.0043
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4,564 | 对比 | ||||||||||||||
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DMN2300U-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23 1.4A 0.55W 175mΩ 20V 450mV |
￥0.6215
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1,294 | 对比 | ||||||||||||||
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NDS331N | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
±8V 500mW(Ta) 160m Ohms@1.5A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SuperSOT N-Channel 20V 1.3A 1.3A(Ta) 160 毫欧 @ 1.5A,4.5V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
￥4.408
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1,196 | 对比 | ||||||||||||||
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NDS331N | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
±8V 500mW(Ta) 160m Ohms@1.5A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SuperSOT N-Channel 20V 1.3A 1.3A(Ta) 160 毫欧 @ 1.5A,4.5V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
￥0.7832
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772 | 对比 | ||||||||||||||
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BSH105,235 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT23 N-Channel 0.17W 150°C 0.57V,8V 20V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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