首页 > 商品目录 > > > > BSH103,215代替型号比较

BSH103,215  与  FDV303N  区别

型号 BSH103,215 FDV303N
唯样编号 A36-BSH103,215 A3-FDV303N
制造商 Nexperia ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述 BSH103 Series 30 V 850 mA 400 mOhm N-Ch Enhancement Mode MOS Transistor-SOT-23-3 N-Channel 25 V 0.45 Ohm Surface Mount Digital FET - SOT-23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 - 350mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs - 450 毫欧 @ 500mA,4.5V
漏源极电压Vds 30V 25V
Pd-功率耗散(Max) 0.5W 350mW(Ta)
输出电容 27pF -
栅极电压Vgs 8V ±8V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT23 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
工作温度 150℃ -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 680mA(Ta)
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1.5V @ 250µA
输入电容 83pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 50pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 2.3nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 2.7V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 50pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 2.3nC @ 4.5V
库存与单价
库存 3,655 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
80+ :  ¥0.6512
200+ :  ¥0.4966
1,500+ :  ¥0.4316
3,000+ :  ¥0.3822
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSH103,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

BSH103_SOT23

¥0.6512 

阶梯数 价格
80: ¥0.6512
200: ¥0.4966
1,500: ¥0.4316
3,000: ¥0.3822
3,655 当前型号
FDV303N ON Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

¥0.5863 

阶梯数 价格
90: ¥0.5863
200: ¥0.377
1,500: ¥0.3289
3,000: ¥0.2912
38,164 对比
FDV303N ON Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

¥0.4995 

阶梯数 价格
1: ¥0.4995
25: ¥0.4305
100: ¥0.3711
832 对比
FDV303N ON Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

¥0.4995 

阶梯数 价格
1: ¥0.4995
25: ¥0.4305
100: ¥0.3711
334 对比
FDV303N ON Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

暂无价格 0 对比
FDV303N ON Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售