BC856W,115 与 BC856BWT1G 区别
| 型号 | BC856W,115 | BC856BWT1G | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-BC856W,115-1 | A36-BC856BWT1G | ||||||
| 制造商 | Nexperia | ON Semiconductor | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||||||
| 描述 | TRANS PNP 65V 100MA SOT323 | |||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| 功率耗散Pd | 200mW | - | ||||||
| 电流-集电极截止（最大值） | - | 15nA(ICBO) | ||||||
| 电流-集电极（Ic）（最大值） | - | 100mA | ||||||
| 功率 | - | 3/20W | ||||||
| 特征频率fT | 100MHz | - | ||||||
| 集电极-射极饱和电压 | -600mV | - | ||||||
| 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值） | - | 650mV @ 5mA,100mA | ||||||
| FET类型 | - | P-Channel | ||||||
| 封装/外壳 | SOT-323 | SC-70 | ||||||
| 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值） | - | 220 @ 2mA,5V | ||||||
| VCBO | -80V | - | ||||||
| 工作温度 | -65°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) | ||||||
| 集电极电流Ic | -100mA | - | ||||||
| 频率-跃迁 | - | 100MHz | ||||||
| 集电极_发射极击穿电压VCEO | - | 65V | ||||||
| VEBO | -5V | - | ||||||
| 尺寸 | 2*1.25*0.95 | - | ||||||
| 集电极最大允许电流Ic | - | 0.1A | ||||||
| 集电极-发射极Vceo | -65V | - | ||||||
| 直流电流增益hFE | 125 | - | ||||||
| 晶体管类型 | PNP | - | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 84 | 2,126 | ||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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BC856W,115 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-323 200mW -65V -100mA PNP |
暂无价格 | 84 | 当前型号 | ||||||||||||
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BC856BWT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SC-70 |
￥0.7176
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2,126 | 对比 | ||||||||||||
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BC856AW-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-323 200mW 65V 100mA PNP |
￥0.2
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420 | 对比 | ||||||||||||
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BC856AW-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-323 200mW 65V 100mA PNP |
暂无价格 | 172 | 对比 | ||||||||||||
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BC856AW,115 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-323 200mW -65V -100mA PNP |
暂无价格 | 15 | 对比 | ||||||||||||
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BC856W,135 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-323 200mW -65V -100mA PNP |
￥0.3166
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9 | 对比 |
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