BC856BWT1G 与 BC856AW-7-F 区别
| 型号 | BC856BWT1G | BC856AW-7-F |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-BC856BWT1G | A36-BC856AW-7-F-2 |
| 制造商 | ON Semiconductor | Diodes Incorporated |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 |
| 描述 | TRANS PNP 65V 0.1A SOT323 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 电流-集电极截止（最大值） | 15nA(ICBO) | - |
| 功率耗散Pd | - | 200mW |
| 电流-集电极（Ic）（最大值） | 100mA | - |
| 功率 | 3/20W | - |
| 特征频率fT | - | 200MHz |
| 集电极-射极饱和电压 | - | 650mV |
| 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 650mV @ 5mA,100mA | - |
| FET类型 | P-Channel | - |
| 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值） | 220 @ 2mA,5V | - |
| 封装/外壳 | SC-70 | SOT-323 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -65°C~150°C(TJ) |
| 频率-跃迁 | 100MHz | - |
| 集电极_发射极击穿电压VCEO | 65V | - |
| 集电极电流Ic | - | 100mA |
| 集电极最大允许电流Ic | 0.1A | - |
| 直流电流增益hFE | - | 125 |
| 集电极-发射极Vceo | - | 65V |
| 晶体管类型 | - | PNP |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 8 | 172 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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BC856BWT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SC-70 |
暂无价格 | 8 | 当前型号 | ||||||||||||
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PBSS5160U,115 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-323 415mW -60V -700mA PNP |
￥1.9846
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9,000 | 对比 | ||||||||||||
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BC856BW,115 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-323 200mW -65V -100mA PNP |
￥0.6245
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2,610 | 对比 | ||||||||||||
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BC856W,115 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-323 200mW -65V -100mA PNP |
￥0.6245
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2,059 | 对比 | ||||||||||||
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PMST2907A,115 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-323 200mW -60V -600mA PNP |
暂无价格 | 216 | 对比 | ||||||||||||
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BC856AW-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-323 200mW 65V 100mA PNP |
暂无价格 | 172 | 对比 |
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