BC856AW-7-F 与 BC856BWT1G 区别
| 型号 | BC856AW-7-F | BC856BWT1G | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-BC856AW-7-F-1 | A36-BC856BWT1G | ||||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | ON Semiconductor | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||||||||
| 描述 | TRANS PNP 65V 0.1A SOT323 | |||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 功率耗散Pd | 200mW | - | ||||||||
| 电流-集电极截止（最大值） | - | 15nA(ICBO) | ||||||||
| 电流-集电极（Ic）（最大值） | - | 100mA | ||||||||
| 功率 | - | 3/20W | ||||||||
| 特征频率fT | 200MHz | - | ||||||||
| 集电极-射极饱和电压 | 650mV | - | ||||||||
| 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值） | - | 650mV @ 5mA,100mA | ||||||||
| FET类型 | - | P-Channel | ||||||||
| 封装/外壳 | SOT-323 | SC-70 | ||||||||
| 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值） | - | 220 @ 2mA,5V | ||||||||
| 工作温度 | -65°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||
| 集电极电流Ic | 100mA | - | ||||||||
| 频率-跃迁 | - | 100MHz | ||||||||
| 集电极_发射极击穿电压VCEO | - | 65V | ||||||||
| 集电极最大允许电流Ic | - | 0.1A | ||||||||
| 直流电流增益hFE | 125 | - | ||||||||
| 集电极-发射极Vceo | 65V | - | ||||||||
| 晶体管类型 | PNP | - | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 420 | 2,126 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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BC856AW-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-323 200mW 65V 100mA PNP |
￥0.2
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420 | 当前型号 | ||||||||||||
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PBSS5160U,115 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-323 415mW -60V -700mA PNP |
￥1.9846
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9,000 | 对比 | ||||||||||||
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BC856BW,115 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-323 200mW -65V -100mA PNP |
￥0.6245
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2,665 | 对比 | ||||||||||||
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BC856BWT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SC-70 |
￥0.7176
|
2,126 | 对比 | ||||||||||||
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BC856W,115 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-323 200mW -65V -100mA PNP |
￥0.6245
|
2,059 | 对比 | ||||||||||||
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PMST2907A,115 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-323 200mW -60V -600mA PNP |
暂无价格 | 533 | 对比 |
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