BC847BVC-7 与 EMX52T2R 区别
| 型号 | BC847BVC-7 | EMX52T2R | ||||||||||||||||||
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| 唯样编号 | A36-BC847BVC-7 | A33-EMX52T2R | ||||||||||||||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | ROHM Semiconductor | ||||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||||
| 分类 | 达林顿晶体管 | BJT三极管 | ||||||||||||||||||
| 描述 | TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT563 | |||||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||||
| 功率耗散Pd | - | 150mW | ||||||||||||||||||
| 功率 | 150mW | - | ||||||||||||||||||
| 特征频率fT | 100MHz | 350MHz | ||||||||||||||||||
| ICBO | 15nA(ICBO) | - | ||||||||||||||||||
| 集电极-射极饱和电压 | 300mV @ 5mA,100mA | 300mV | ||||||||||||||||||
| FET类型 | NPN/NPN | - | ||||||||||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-563 | SOT-563 | ||||||||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C | ||||||||||||||||||
| VCBO | - | 50V | ||||||||||||||||||
| 集电极电流Ic | 100mA | 100mA | ||||||||||||||||||
| VEBO | - | 5V | ||||||||||||||||||
| 直流电流增益hFE | 200 @ 2mA,5V | 120 | ||||||||||||||||||
| 集电极-发射极Vceo | 45V | 50V | ||||||||||||||||||
| 晶体管类型 | - | NPN | ||||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||||
| 库存 | 6,000 | 5,382 | ||||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 28 - 35天 | ||||||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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BC847BVC-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 达林顿晶体管 |
￥1.884
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6,000 | 当前型号 | |||||||||||||
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BC847BV,115 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-666 200mW 45V 100mA NPN |
￥2.1456
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20,000 | 对比 | ||||||||||||
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EMX52T2R | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-563 150mW 50V 100mA NPN |
￥0.8254
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8,000 | 对比 | ||||||||||||
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EMX52T2R | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-563 150mW 50V 100mA NPN |
￥1.2826
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8,000 | 对比 | ||||||||||||
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EMX52T2R | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-563 150mW 50V 100mA NPN |
￥0.8254
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5,382 | 对比 | ||||||||||||
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EMX52T2R | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-563 150mW 50V 100mA NPN |
暂无价格 | 420 | 对比 |
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