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AOTF7N65  与  R6004JNXC7G  区别

型号 AOTF7N65 R6004JNXC7G
唯样编号 A36-AOTF7N65 A33-R6004JNXC7G-0
制造商 AOS ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 4A TO220FM
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 35W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 1.56Ω@3.5A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 650V -
Pd-功率耗散(Max) 38.5W -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 260pF @ 100V
栅极电压Vgs ±30V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 TO-220F TO-220FM
连续漏极电流Id 7A -
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 7V @ 450?A
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 1.43 欧姆 @ 2A,15V
Vgs(最大值) - ±30V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 15V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 4A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 600V
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) - 10.5nC @ 15V
库存与单价
库存 0 50
工厂交货期 3 - 15天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
40+ :  ¥4.1205
50+ :  ¥4.0438
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