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AOT5B60D  与  IRG4BC10KDPBF  区别

型号 AOT5B60D IRG4BC10KDPBF
唯样编号 A36-AOT5B60D A-IRG4BC10KDPBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 IGBT晶体管 IGBT晶体管
描述 IRG4BC10KD Series 600 V 5 A Short Circuit Rated UltraFast IGBT - TO-220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 82.4W 38W
电流-集电极(Ic)(最大值) - 9A
脉冲电流 - 集电极 (Icm) 20A 18A
栅极 - 发射极电压 ±20V -
电压-集射极击穿(最大值) - 600V
脉冲电流-集电极(Icm) - 18A
电压 - 集射极击穿(最大值) 600V 600V
关闭开关能量 0.04mJ -
电流 - 集电极(Ic)(最大值) 23A 9A
封装/外壳 TO220 TO-220AB
集电极-发射极饱和电压 1.55V -
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) 1.8V @ 15V, 5A 2.62V @ 15V,5A
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
开关能量 140µJ(开),40µJ(关) 250µJ(开),140µJ(关)
不同 Vge,Ic时的 Vce(on) - 2.62V @ 15V,5A
开启时间 27ns -
测试条件 400V,5A,60 欧姆,15V 480V,5A,100 欧姆,15V
安装 THT -
集电极电流 5A -
包装类型 -
关闭时间 95ns -
25°C时Td(开/关)值 - 49ns/97ns
反向恢复时间(trr) 98ns -
输入类型 标准 标准
集电极-发射极电压 600V -
FET类型 IGBT -
耗电 41.2W -
开启开关能量 0.14mJ -
脉冲集电极电流 20A -
25°C 时 Td(开/关)值 12ns/83ns 49ns/97ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOT5B60D AOS  数据手册 IGBT晶体管

82.4W -55°C ~ 175°C(TJ) TO220

暂无价格 0 当前型号
IRG4BC10KDPBF Infineon  数据手册 IGBT晶体管

-55°C ~ 150°C(TJ) 38W TO-220AB

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