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AOT410L  与  IPP057N08N3GXKSA1  区别

型号 AOT410L IPP057N08N3GXKSA1
唯样编号 A36-AOT410L A-IPP057N08N3GXKSA1
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 215 -
功率耗散(最大值) - 150W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 6.5mΩ@10V -
ESD Diode No -
Rds On(Max)@4.5V 7.5mΩ -
Qgd(nC) 40 -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 4750pF @ 40V
栅极电压Vgs 25V -
Td(on)(ns) 28 -
封装/外壳 TO-220 TO-220-3
连续漏极电流Id 150A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 69nC @ 10V
工作温度 - -55°C ~ 175°C(TJ)
Ciss(pF) 6622 -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 5.7 毫欧 @ 80A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 6V,10V
Schottky Diode No -
Trr(ns) 27 -
Td(off)(ns) 43.5 -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 100V -
Pd-功率耗散(Max) 333W -
Qrr(nC) 177 -
VGS(th) 4 -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 90uA
25°C时电流-连续漏极(Id) - 80A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 80V
Coss(pF) 594 -
Qg*(nC) 107* -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOT410L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220 N-Channel 100V 25V 150A 333W 6.5mΩ@10V

暂无价格 0 当前型号
STP100N10F7 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220

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STP100N10F7 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220

暂无价格 0 对比
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PSMN7R0-100PS_SOT78 N-Channel 269W 175℃ 3V 100V 100A

¥13.3875 

阶梯数 价格
20: ¥13.3875
50: ¥10.9734
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IPP057N08N3GXKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP057N08N3 G_N 通道 TO-220-3 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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