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AOT286L  与  STP110N8F6  区别

型号 AOT286L STP110N8F6
唯样编号 A36-AOT286L A3-STP110N8F6
制造商 AOS STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 6mΩ@20A,10V 6.5mΩ@55A,10V
漏源极电压Vds 80V 80V
Pd-功率耗散(Max) 167W 200W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220 TO-220
连续漏极电流Id 70A 110A
工作温度 -55°C~175°C -55°C~175°C(TJ)
系列 - STripFET™ F6
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 9130pF @ 40V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 150nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
库存与单价
库存 1 12,000
工厂交货期 3 - 15天 5 - 7天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOT286L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220 N-Channel 80V ±20V 70A 167W 6mΩ@20A,10V -55°C~175°C

暂无价格 1 当前型号
STP110N8F6 STMicro  数据手册 功率MOSFET

±20V 200W(Tc) 6.5mΩ@55A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220 N-Channel 80V 110A

暂无价格 12,000 对比
STP110N8F6 STMicro  数据手册 功率MOSFET

±20V 200W(Tc) 6.5mΩ@55A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220 N-Channel 80V 110A

¥3.85 

阶梯数 价格
20: ¥3.85
100: ¥3.08
366 对比
STP110N8F6 STMicro  数据手册 功率MOSFET

±20V 200W(Tc) 6.5mΩ@55A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220 N-Channel 80V 110A

暂无价格 0 对比
IPP072N10N3GXKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP072N10N3 G_N 通道 TO-220-3 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IPP072N10N3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP072N10N3GXKSA1_100V 80A 6.2mΩ 20V 150W N-Channel -55°C~175°C

暂无价格 0 对比

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