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AOSP21357  与  AO4447A  区别

型号 AOSP21357 AO4447A
唯样编号 A36-AOSP21357 A-AO4447A
制造商 AOS AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 564
Td(off)(ns) - 1200
Rds On(Max)@Id,Vgs 8.5mΩ@16A,10V 7mΩ@10V
ESD Diode - Yes
漏源极电压Vds -30V -30V
Rds On(Max)@4.5V - 8mΩ
Pd-功率耗散(Max) 3.1W 3.1W
Qrr(nC) - 77
VGS(th) - -1.6
Qgd(nC) - 17
栅极电压Vgs ±25V 20V
FET类型 P-Channel P-Channel
Td(on)(ns) - 180
封装/外壳 SO-8 SO-8
连续漏极电流Id -16A -17A
工作温度 -55°C~150°C -
Ciss(pF) - 4580
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 32
Coss(pF) - 755
Qg*(nC) - 41
库存与单价
库存 162 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥3.124
100+ :  ¥2.596
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOSP21357 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 P-Channel -30V ±25V -16A 3.1W 8.5mΩ@16A,10V -55°C~150°C

¥3.124 

阶梯数 价格
20: ¥3.124
100: ¥2.596
162 当前型号
AO4447A AOS  数据手册 功率MOSFET

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AO4413 AOS  数据手册 功率MOSFET

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18.5A(Ta) P-Channel ±20V 5.8 mΩ @ 18.5A,10V 8-SOIC 3.1W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 30V

暂无价格 0 对比

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