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AON7534  与  RQ3E180GNTB  区别

型号 AON7534 RQ3E180GNTB
唯样编号 A36-AON7534 A33-RQ3E180GNTB
制造商 AOS ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 5mΩ@20A,10V 4.3mΩ@18A,10V
上升时间 - 6.9ns
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 23W 2W
Qg-栅极电荷 - 22.4nC
栅极电压Vgs ±20V ±20V
典型关闭延迟时间 - 56.8ns
正向跨导 - 最小值 - 17S
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 DFN 3x3 EP HSMT-8
连续漏极电流Id 30A 18A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
下降时间 - 10.2ns
典型接通延迟时间 - 16.5ns
库存与单价
库存 4,950 2,775
工厂交货期 3 - 15天 21 - 28天
单价(含税)
40+ :  ¥1.32
100+ :  ¥1.0175
1,250+ :  ¥0.8481
2,500+ :  ¥0.7711
30+ :  ¥5.1745
50+ :  ¥3.4785
100+ :  ¥2.9035
300+ :  ¥2.5298
500+ :  ¥2.4531
1,000+ :  ¥2.3956
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AON7534 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP N-Channel 30V ±20V 30A 23W 5mΩ@20A,10V -55°C~150°C

¥1.32 

阶梯数 价格
40: ¥1.32
100: ¥1.0175
1,250: ¥0.8481
2,500: ¥0.7711
4,950 当前型号
RQ3E180GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

18A 2W 4.3mΩ@18A,10V 30V ±20V HSMT-8 N-Channel -55°C~150°C

¥2.0889 

阶梯数 价格
30: ¥2.0889
100: ¥1.6632
750: ¥1.485
1,500: ¥1.4058
2,981 对比
RQ3E180GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

18A 2W 4.3mΩ@18A,10V 30V ±20V HSMT-8 N-Channel -55°C~150°C

¥5.1745 

阶梯数 价格
30: ¥5.1745
50: ¥3.4785
100: ¥2.9035
300: ¥2.5298
500: ¥2.4531
1,000: ¥2.3956
2,775 对比
DMN3008SFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 900mW(Ta) ±20V PowerDI3333-8 -55℃~150℃(TJ) 30V 17.6A(Ta)

¥1.375 

阶梯数 价格
40: ¥1.375
50: ¥1.0626
1,940 对比
RQ3E180GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

18A 2W 4.3mΩ@18A,10V 30V ±20V HSMT-8 N-Channel -55°C~150°C

¥5.1745 

阶梯数 价格
30: ¥5.1745
50: ¥3.4785
100: ¥2.9035
104 对比
BSZ0904NSI Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ0904NSIATMA1_30V 40A 3.3mΩ 20V 37W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比

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