首页 > 商品目录 > > > > AON7506代替型号比较

AON7506  与  DMG7430LFG-7  区别

型号 AON7506 DMG7430LFG-7
唯样编号 A36-AON7506 A-DMG7430LFG-7
制造商 AOS Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 9.8mΩ@12A,10V 11mΩ
上升时间 - 21.2ns
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 20.5W 2.2W
Qg-栅极电荷 - 26.7nC
栅极电压Vgs ±20V 2.5V
典型关闭延迟时间 - 22.3ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 DFN 3x3 EP PowerDI
连续漏极电流Id 12A 10.5A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
系列 - DMG7430
通道数量 - 1Channel
配置 - SingleTripleSourceQuadDrain
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1281pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 26.7nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
下降时间 - 5.1ns
典型接通延迟时间 - 5.2ns
库存与单价
库存 2,181 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
40+ :  ¥1.309
100+ :  ¥0.8701
1,250+ :  ¥0.7249
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AON7506 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP N-Channel 30V ±20V 12A 20.5W 9.8mΩ@12A,10V -55°C~150°C

¥1.309 

阶梯数 价格
40: ¥1.309
100: ¥0.8701
1,250: ¥0.7249
2,181 当前型号
AON7752 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP N-Channel 30V 20V 16A 20W 8.2mΩ@10V

¥1.2821 

阶梯数 价格
1: ¥1.2821
100: ¥1.0204
1,000: ¥0.7353
2,500: ¥0.6329
5,000: ¥0.5
4,722 对比
DMG7430LFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) PowerDI 10.5A 2.2W 11mΩ 30V 2.5V N-Channel

暂无价格 0 对比
TPN8R903NL,LQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 700mW(Ta),22W(Tc) 8-TSON Advance(3.1x3.1) 150°C(TJ) 30 V 20A(Tc)

暂无价格 0 对比
DMG7430LFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) PowerDI 10.5A 2.2W 11mΩ 30V 2.5V N-Channel

暂无价格 0 对比
AON7752 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP N-Channel 30V 20V 16A 20W 8.2mΩ@10V

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售