首页 > 商品目录 > > > > AON7502代替型号比较

AON7502  与  IRFH8324TR2PBF  区别

型号 AON7502 IRFH8324TR2PBF
唯样编号 A36-AON7502 A-IRFH8324TR2PBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 23A/90A PQFN
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 63 -
功率耗散(最大值) - 3.6W(Ta),54W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.7mΩ@10V -
ESD Diode No -
Rds On(Max)@4.5V 7.6mΩ -
Qgd(nC) 3.5 -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 2380pF @ 10V
栅极电压Vgs 25V -
Td(on)(ns) 7.5 -
封装/外壳 DFN 3x3 EP 8-PowerTDFN
连续漏极电流Id 30A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 31nC @ 10V
工作温度 - -55°C ~ 150°C(TJ)
Ciss(pF) 1022 -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 4.1 毫欧 @ 20A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
Schottky Diode No -
Trr(ns) 15.3 -
Td(off)(ns) 17.5 -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 31W -
Qrr(nC) 20 -
VGS(th) 3 -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.35V @ 50uA
25°C时电流-连续漏极(Id) - 23A(Ta),90A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 30V
Coss(pF) 574 -
Qg*(nC) 6.2 -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AON7502 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP N-Channel 30V 25V 30A 31W 4.7mΩ@10V

暂无价格 0 当前型号
DMN3008SFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 900mW(Ta) ±20V PowerDI3333-8 -55℃~150℃(TJ) 30V 17.6A(Ta)

¥1.474 

阶梯数 价格
40: ¥1.474
50: ¥1.133
2,000: ¥1.045
2,483 对比
IRFH5304TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V -55°C~150°C(TJ) 3.6W(Ta),46W(Tc) 4.5mΩ@47A,10V N-Channel 30V 22A 8-PQFN(5x6)

暂无价格 0 对比
IRFH8325TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 21A(Ta),82A(Tc) ±20V 3.6W(Ta),54W(Tc) 5mΩ@20A,10V -55°C~150°C(TJ) PQFN 5X6 8L

暂无价格 0 对比
DMN3008SFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 900mW(Ta) ±20V PowerDI3333-8 -55℃~150℃(TJ) 30V 17.6A(Ta)

暂无价格 0 对比
NVTFS4824NTAG ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-WDFN(3.3x3.3) 车规

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售