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AON7422G  与  RQ3E180GNTB  区别

型号 AON7422G RQ3E180GNTB
唯样编号 A36-AON7422G A36-RQ3E180GNTB
制造商 AOS ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 210 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.6mΩ@10V 4.3mΩ@18A,10V
ESD Diode Yes -
上升时间 - 6.9ns
Rds On(Max)@4.5V 7.2mΩ -
Qg-栅极电荷 - 22.4nC
Qgd(nC) 12 -
栅极电压Vgs 20V ±20V
正向跨导 - 最小值 - 17S
封装/外壳 DFN 3x3 EP HSMT-8
连续漏极电流Id 32A 18A
工作温度 - -55°C~150°C
Ciss(pF) 2300 -
配置 - Single
下降时间 - 10.2ns
Schottky Diode No -
Trr(ns) 11 -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 28W 2W
Qrr(nC) 15 -
VGS(th) 2.4 -
典型关闭延迟时间 - 56.8ns
FET类型 N-Channel N-Channel
通道数量 - 1Channel
典型接通延迟时间 - 16.5ns
Coss(pF) 240 -
Qg*(nC) 20 -
库存与单价
库存 0 2,991
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
30+ :  ¥2.475
100+ :  ¥1.991
750+ :  ¥1.76
1,500+ :  ¥1.661
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AON7422G AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN3x3EP

暂无价格 0 当前型号
RQ3E180GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSMT-8

¥2.475 

阶梯数 价格
30: ¥2.475
100: ¥1.991
750: ¥1.76
1,500: ¥1.661
2,991 对比
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HSMT-8

¥2.5681 

阶梯数 价格
60: ¥2.5681
100: ¥2.2902
500: ¥2.2902
1,000: ¥2.2807
2,000: ¥2.2711
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¥2.288 

阶梯数 价格
30: ¥2.288
100: ¥1.749
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2,000: ¥1.441
2,000 对比
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HSMT-8

¥2.5681 

阶梯数 价格
60: ¥2.5681
100: ¥2.2902
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8-PQFN(5x6)

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