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AON7422G  与  IRFH5304TRPBF  区别

型号 AON7422G IRFH5304TRPBF
唯样编号 A36-AON7422G A-IRFH5304TRPBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 3.6 W 16 nC SMT HexFet Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 210 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.6mΩ@10V 4.5mΩ@47A,10V
ESD Diode Yes -
Rds On(Max)@4.5V 7.2mΩ -
Qgd(nC) 12 -
栅极电压Vgs 20V ±20V
封装/外壳 DFN 3x3 EP 8-PQFN(5x6)
连续漏极电流Id 32A 22A
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
Ciss(pF) 2300 -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
Schottky Diode No -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.35V @ 50µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2360pF @ 10V
Trr(ns) 11 -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 28W 3.6W(Ta),46W(Tc)
Qrr(nC) 15 -
VGS(th) 2.4 -
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.35V @ 50µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2360pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 41nC @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 41nC @ 10V
Coss(pF) 240 -
Qg*(nC) 20 -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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104 对比
IRFH5304TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

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暂无价格 0 对比

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