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AON7408  与  RQ3E100MNTB1  区别

型号 AON7408 RQ3E100MNTB1
唯样编号 A36-AON7408 A-RQ3E100MNTB1
制造商 AOS ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 41 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 20mΩ@10V 8.8mΩ
ESD Diode No -
上升时间 - 17ns
Rds On(Max)@4.5V 32mΩ -
Qg-栅极电荷 - 9.9nC
Qgd(nC) 1.6 -
栅极电压Vgs 20V 2.5V
Td(on)(ns) 4.3 -
封装/外壳 DFN 3x3 EP HSMT-8
连续漏极电流Id 18A 10A
Ciss(pF) 373 -
配置 - Single
下降时间 - 6ns
Schottky Diode No -
Trr(ns) 10.5 -
Td(off)(ns) 15.8 -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 11W 2W
Qrr(nC) 4.5 -
VGS(th) 2.6 -
典型关闭延迟时间 - 31ns
FET类型 N-Channel N-Channel
通道数量 - 1Channel
典型接通延迟时间 - 7ns
Coss(pF) 67 -
Qg*(nC) 7.1 -
库存与单价
库存 765 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
50+ :  ¥1.133
100+ :  ¥0.8712
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AON7408 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP N-Channel 30V 20V 18A 11W 20mΩ@10V

¥1.133 

阶梯数 价格
50: ¥1.133
100: ¥0.8712
765 当前型号
DMN3024SFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 900mW(Ta) ±25V PowerDI3333-8 -55℃~150℃(TJ) 30V 7.5A(Ta)

¥1.32 

阶梯数 价格
40: ¥1.32
50: ¥1.0109
1,434 对比
IRFHM8342TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.6W(Ta),20W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 16mΩ@17A,10V N-Channel 30V 10A 8-PQFN(3.3x3.3),Power33

暂无价格 0 对比
IRFHM8337TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.8W(Ta),25W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 12.4mΩ@12A,10V N-Channel 30V 12A 8-PQFN(3.3x3.3),Power33

暂无价格 0 对比
RQ3E100MNTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

10A 2W 8.8mΩ 30V 2.5V HSMT-8 N-Channel

暂无价格 0 对比
AON7408L AOS 功率MOSFET

7.5A (Ta),20A (Ta) N-Channel ±20V 22 mΩ @ 9A,10V 8-DFN-EP(3x3) 1.7W (Ta),20W (Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 30V

暂无价格 0 对比

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