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AON6576  与  RQ3E180AJTB  区别

型号 AON6576 RQ3E180AJTB
唯样编号 A36-AON6576 A3-RQ3E180AJTB
制造商 AOS ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.7mΩ@20A,10V 4.5mΩ@18A,4.5V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 26W 2W(Ta),30W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±12V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 DFN 5x6 8-PowerVDFN
连续漏极电流Id 32A 18A(Ta),30A(Tc)
工作温度 -55°C~150°C -55℃~150℃
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 2.5V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1.5V @ 11mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 4290pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 39nC @ 4.5V
库存与单价
库存 1,670 100
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
60+ :  ¥0.9383
200+ :  ¥0.6479
1,500+ :  ¥0.5874
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AON6576 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 5x6 N-Channel 30V ±20V 32A 26W 4.7mΩ@20A,10V -55°C~150°C

¥0.9383 

阶梯数 价格
60: ¥0.9383
200: ¥0.6479
1,500: ¥0.5874
1,670 当前型号
RQ3E180AJTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 18A(Ta),30A(Tc) ±12V 2W(Ta),30W(Tc) 4.5mΩ@18A,4.5V -55℃~150℃ 8-PowerVDFN

¥5.6058 

阶梯数 价格
30: ¥5.6058
50: ¥3.9001
100: ¥3.3347
500: ¥2.961
1,000: ¥2.8844
2,000: ¥2.8269
2,224 对比
DMN3008SFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 900mW(Ta) ±20V PowerDI3333-8 -55℃~150℃(TJ) 30V 17.6A(Ta)

¥1.947 

阶梯数 价格
30: ¥1.947
100: ¥1.507
1,000: ¥1.254
1,800 对比
DMN3008SFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 900mW(Ta) ±20V PowerDI3333-8 -55℃~150℃(TJ) 30V 17.6A(Ta)

¥1.7523 

阶梯数 价格
30: ¥1.7523
100: ¥1.3563
683 对比
RQ3E180AJTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 18A(Ta),30A(Tc) ±12V 2W(Ta),30W(Tc) 4.5mΩ@18A,4.5V -55℃~150℃ 8-PowerVDFN

暂无价格 100 对比
CSD17310Q5A TI  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 21A(Ta),100A(Tc) +10V,-8V 5.1 毫欧 @ 20A,8V -55°C ~ 150°C(TJ) 8-PowerTDFN

¥2.8788 

阶梯数 价格
1: ¥2.8788
25: ¥2.4817
35 对比

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