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AON6576  与  IRFH5304TRPBF  区别

型号 AON6576 IRFH5304TRPBF
唯样编号 A36-AON6576 A-IRFH5304TRPBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 3.6 W 16 nC SMT HexFet Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 26W 3.6W(Ta),46W(Tc)
漏源极电压Vds 30V 30V
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 DFN 5x6 8-PQFN(5x6)
连续漏极电流Id 32A 22A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.35V @ 50µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2360pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 41nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
导通电阻Rds(On) 4.7mΩ@20A,10V 4.5mΩ@47A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.35V @ 50µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2360pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 41nC @ 10V
库存与单价
库存 1,609 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
60+ :  ¥0.9528
200+ :  ¥0.6576
1,500+ :  ¥0.6474
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AON6576 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 5x6 N-Channel 30V ±20V 32A 26W 4.7mΩ@20A,10V -55°C~150°C

¥0.9528 

阶梯数 价格
60: ¥0.9528
200: ¥0.6576
1,500: ¥0.6474
1,609 当前型号
RQ3E180AJTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 18A(Ta),30A(Tc) ±12V 2W(Ta),30W(Tc) 4.5mΩ@18A,4.5V -55°C~150°C 8-PowerVDFN

¥5.232 

阶梯数 价格
30: ¥5.232
50: ¥4.3984
100: ¥3.8043
300: ¥3.4018
500: ¥3.3251
1,000: ¥3.2676
2,795 对比
DMN3008SFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI3333-8

¥1.968 

阶梯数 价格
30: ¥1.968
100: ¥1.524
1,000: ¥1.32
2,000: ¥1.248
2,153 对比
DMN3008SFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI3333-8

暂无价格 2,000 对比
RQ3E180AJTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 18A(Ta),30A(Tc) ±12V 2W(Ta),30W(Tc) 4.5mΩ@18A,4.5V -55°C~150°C 8-PowerVDFN

暂无价格 100 对比
IRFH5304TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V -55°C~150°C(TJ) 3.6W(Ta),46W(Tc) 4.5mΩ@47A,10V N-Channel 30V 22A 8-PQFN(5x6)

暂无价格 0 对比

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