AON6576 与 IRFH5304TRPBF 区别
| 型号 | AON6576 | IRFH5304TRPBF | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-AON6576 | A-IRFH5304TRPBF | ||||||
| 制造商 | AOS | Infineon Technologies | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||
| 描述 | Single N-Channel 30 V 3.6 W 16 nC SMT HexFet Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm | |||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 4.7mΩ@20A,10V | 4.5mΩ@47A,10V | ||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 26W | 3.6W(Ta),46W(Tc) | ||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||
| 封装/外壳 | DFN 5x6 | 8-PQFN(5x6) | ||||||
| 连续漏极电流Id | 32A | 22A | ||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) | ||||||
| 系列 | - | HEXFET® | ||||||
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | - | 2.35V @ 50µA | ||||||
| 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | - | 2360pF @ 10V | ||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | - | 41nC @ 10V | ||||||
| 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | - | 4.5V,10V | ||||||
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | - | 2.35V @ 50µA | ||||||
| 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | - | 2360pF @ 10V | ||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | - | 41nC @ 10V | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 1,619 | 0 | ||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||||
| 单价(含税) |
|
暂无价格 | ||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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AON6576 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 5x6 N-Channel 30V ±20V 32A 26W 4.7mΩ@20A,10V -55°C~150°C |
¥0.8899
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1,619 | 当前型号 | ||||||||
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DMN3008SFG-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 900mW(Ta) ±20V PowerDI3333-8 -55°C~150°C(TJ) 30V 17.6A(Ta) |
¥1.375
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406 | 对比 | ||||||||
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RQ3E180AJTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 18A(Ta),30A(Tc) ±12V 2W(Ta),30W(Tc) 4.5mΩ@18A,4.5V -55°C~150°C 8-PowerVDFN |
暂无价格 | 100 | 对比 | ||||||||
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IRFH5304TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V -55°C~150°C(TJ) 3.6W(Ta),46W(Tc) 4.5mΩ@47A,10V N-Channel 30V 22A 8-PQFN(5x6) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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IRFH8324TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 23A(Ta),90A(Tc) ±20V 3.6W(Ta),54W(Tc) 4.1mΩ@20A,10V -55°C~150°C(TJ) PG-TDSON-8 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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BSC042N03LS G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
30V 93A 4.2mΩ 20V 2.5W N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |