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AON6516  与  RQ3E180GNTB  区别

型号 AON6516 RQ3E180GNTB
唯样编号 A36-AON6516 A33-RQ3E180GNTB-0
制造商 AOS ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 83 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 5mΩ@10V 4.3mΩ@18A,10V
ESD Diode No -
上升时间 - 6.9ns
Rds On(Max)@4.5V 8mΩ -
Qg-栅极电荷 - 22.4nC
Qgd(nC) 5.5 -
栅极电压Vgs 20V ±20V
正向跨导 - 最小值 - 17S
Td(on)(ns) 7 -
封装/外壳 DFN 5x6 HSMT-8
连续漏极电流Id 56A 18A
工作温度 - -55°C~150°C
Ciss(pF) 1229 -
配置 - Single
下降时间 - 10.2ns
Schottky Diode No -
Trr(ns) 12.6 -
Td(off)(ns) 24 -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 25W 2W
Qrr(nC) 15.2 -
VGS(th) 2.2 -
典型关闭延迟时间 - 56.8ns
FET类型 N-Channel N-Channel
通道数量 - 1Channel
典型接通延迟时间 - 16.5ns
Coss(pF) 526 -
Qg*(nC) 12 -
库存与单价
库存 0 104
工厂交货期 3 - 15天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
60+ :  ¥2.5681
100+ :  ¥2.2902
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AON6516 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN5x6

暂无价格 0 当前型号
RQ3E180GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSMT-8

¥2.475 

阶梯数 价格
30: ¥2.475
100: ¥1.991
750: ¥1.76
1,500: ¥1.661
2,991 对比
RQ3E180GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSMT-8

¥2.5681 

阶梯数 价格
60: ¥2.5681
100: ¥2.2902
500: ¥2.2902
1,000: ¥2.2807
2,000: ¥2.2711
2,775 对比
RQ3E180GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSMT-8

¥2.5681 

阶梯数 价格
60: ¥2.5681
100: ¥2.2902
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1: ¥2.8788
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