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AON6500  与  BSC011N03LS  区别

型号 AON6500 BSC011N03LS
唯样编号 A36-AON6500 A-BSC011N03LS
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 5.15mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 0.95mΩ@20A,10V 1.1mΩ@30A,10V
上升时间 - 8.8ns
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 83W 96W
Qg-栅极电荷 - 72nC
栅极电压Vgs ±20V 10V
正向跨导 - 最小值 - 85S
典型关闭延迟时间 - 37ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 DFN 5x6 8-PowerTDFN
连续漏极电流Id 200A 100A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
通道数量 - 1Channel
配置 - SingleQuadDrainTripleSource
长度 - 5.9mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
下降时间 - 6.2ns
典型接通延迟时间 - 6.7ns
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 4700pF @ 15V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 72nC @ 10V
高度 - 1.27mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AON6500 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 5x6 N-Channel 30V ±20V 200A 83W 0.95mΩ@20A,10V -55°C~150°C

暂无价格 0 当前型号
BSC011N03LSATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC011N03LS_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
AON6400L AOS  数据手册 功率MOSFET

85A(Tc) N-Channel 8-DFN(5x6)

暂无价格 0 对比
BSC011N03LS Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC011N03LSATMA1_-55°C~150°C(TJ) 30V 100A 1.1mΩ@30A,10V 10V 96W N-Channel 8-PowerTDFN

暂无价格 0 对比
TPN1R603PL,L1Q Toshiba  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 104W(Tc) 8-TSON Advance(3.1x3.1) 175°C 30 V 80A(Tc)

暂无价格 0 对比
AON6400 AOS 功率MOSFET

31A(Ta),85A(Tc) N-Channel ±20V 1.4 mΩ @ 20A,10V 8-DFN(5x6) 2.3W(Ta),83W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 30V

暂无价格 0 对比

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