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AON6484  与  DMN10H099SFG-7  区别

型号 AON6484 DMN10H099SFG-7
唯样编号 A36-AON6484 A36-DMN10H099SFG-7
制造商 AOS Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 24 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 79mΩ@10V -
ESD Diode No -
Rds On(Max)@4.5V 90mΩ -
Qgd(nC) 5 -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1172 pF @ 50 V
栅极电压Vgs 20V ±20V
Td(on)(ns) 6 -
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 25.2 nC @ 10 V
封装/外壳 DFN 5x6 PowerDI3333-8
连续漏极电流Id 12A 4.2A(Ta)
工作温度 - -55℃~150℃(TJ)
Ciss(pF) 778 -
Schottky Diode No -
Trr(ns) 23 -
Td(off)(ns) 21 -
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 25W 980mW(Ta)
Qrr(nC) 142 -
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 80mΩ@3.3A,10V
VGS(th) 2.7 -
FET类型 N-Channel N-Channel
驱动电压 - 6V,10V
Coss(pF) 55 -
Qg*(nC) 9.6 -
库存与单价
库存 958 3,450
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
30+ :  ¥2.321
100+ :  ¥1.87
750+ :  ¥1.661
20+ :  ¥2.585
100+ :  ¥1.991
1,000+ :  ¥1.727
2,000+ :  ¥1.65
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AON6484 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 5x6 N-Channel 100V 20V 12A 25W 79mΩ@10V

¥2.321 

阶梯数 价格
30: ¥2.321
100: ¥1.87
750: ¥1.661
958 当前型号
DMN10H099SFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 980mW(Ta) ±20V PowerDI3333-8 -55℃~150℃(TJ) 100V 4.2A(Ta)

¥2.585 

阶梯数 价格
20: ¥2.585
100: ¥1.991
1,000: ¥1.727
2,000: ¥1.65
3,450 对比
DMN10H099SFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 980mW(Ta) ±20V PowerDI3333-8 -55℃~150℃(TJ) 100V 4.2A(Ta)

暂无价格 0 对比

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