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AON6382  与  IRFH8311TRPBF  区别

型号 AON6382 IRFH8311TRPBF
唯样编号 A36-AON6382 A-IRFH8311TRPBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 1.85mΩ@20A,10V 2.1mΩ@20A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 50W 3.6W(Ta),96W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 DFN 5x6 PG-TDSON-8
连续漏极电流Id 85A 32A(Ta),169A(Tc)
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.35V @ 100µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 4960pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 66nC @ 10V
库存与单价
库存 1,622 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥3.069
100+ :  ¥2.464
750+ :  ¥2.2
1,500+ :  ¥2.079
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AON6382 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 5x6 N-Channel 30V ±20V 85A 50W 1.85mΩ@20A,10V -55°C~150°C

¥3.069 

阶梯数 价格
20: ¥3.069
100: ¥2.464
750: ¥2.2
1,500: ¥2.079
1,622 当前型号
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