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AON6234  与  AUIRFN8403TR  区别

型号 AON6234 AUIRFN8403TR
唯样编号 A36-AON6234 A-AUIRFN8403TR
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFN8403TR, 123 A, Vds=40 V, 8引脚 PQFN封装
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 45 -
宽度 - 5mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.4mΩ@10V 3.3mΩ
ESD Diode No -
Rds On(Max)@4.5V 5mΩ -
产品特性 - 车规
引脚数目 - 8
Qgd(nC) 4.5 -
最小栅阈值电压 - 2.6V
栅极电压Vgs 20V -
Td(on)(ns) 8 -
封装/外壳 DFN 5x6 -
连续漏极电流Id 85A 123A
工作温度 - -55°C~175°C(TJ)
Ciss(pF) 2335 -
长度 - 5.85mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
每片芯片元件数目 - 1 Ohms
正向二极管电压 - 1.3V
Schottky Diode No -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3.9V @ 100µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3174pF @ 25V
高度 - 1.17mm
Trr(ns) 17.5 -
类别 - 功率 MOSFET
典型关断延迟时间 - 33 ns
Td(off)(ns) 26 -
漏源极电压Vds 40V -
晶体管材料 - Si
Pd-功率耗散(Max) 83W 94W
Qrr(nC) 47.5 -
晶体管配置 -
VGS(th) 2.4 -
FET类型 N-Channel -
系列 - HEXFET
典型接通延迟时间 - 11 ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 98nC @ 10V
Coss(pF) 612 -
Qg*(nC) 15 -
正向跨导 - 159S
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AON6234 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 5x6 N-Channel 40V 20V 85A 83W 3.4mΩ@10V

暂无价格 0 当前型号
AUIRFN8403TR Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) 123A 3.3mΩ 94W 车规

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