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AON3414  与  RQ1E100XNTR  区别

型号 AON3414 RQ1E100XNTR
唯样编号 A36-AON3414 A32-RQ1E100XNTR-1
制造商 AOS ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 小信号MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 80 -
ESD Diode Yes -
Rds On(Max)@4.5V 23mΩ -
Qgd(nC) 3 -
栅极电压Vgs 20V ±20V
Td(on)(ns) 5 -
封装/外壳 DFN 3x3 8-SMD
连续漏极电流Id 10.5A 10A(Ta)
工作温度 - 150°C(TJ)
Ciss(pF) 690 -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4V,10V
Schottky Diode No -
导通电阻Rds(On) 17mΩ@10V 10.5mΩ@10A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1000pF @ 10V
Trr(ns) 7.5 -
Td(off)(ns) 19 -
功率耗散Pd 3.1W 550mW(Ta)
漏源极电压Vds 30V 30V
Qrr(nC) 11.5 -
VGS(th) 2.4 -
FET类型 N-Channel N-Channel
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 12.7nC @ 5V
Coss(pF) 105 -
Qg*(nC) 7.5 -
库存与单价
库存 10,312 3,100
工厂交货期 3 - 15天 7 - 14天
单价(含税)
60+ :  ¥0.8844
200+ :  ¥0.6804
1,500+ :  ¥0.6409
3,000+ :  ¥0.5956
100+ :  ¥8.285
500+ :  ¥7.6532
1,000+ :  ¥7.0915
3,000+ :  ¥5.8978
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AON3414 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 N-Channel 30V 20V 10.5A 3.1W 17mΩ@10V

¥0.8844 

阶梯数 价格
60: ¥0.8844
200: ¥0.6804
1,500: ¥0.6409
3,000: ¥0.5956
10,312 当前型号
RQ1E100XNTR ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

N-Channel 30V 10A(Ta) ±20V 550mW(Ta) 10.5mΩ@10A,10V 150°C(TJ) 8-SMD

¥8.285 

阶梯数 价格
100: ¥8.285
500: ¥7.6532
1,000: ¥7.0915
3,000: ¥5.8978
3,100 对比
RQ1E075XNTCR ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

7.5A(Ta) N-Channel 2.5V@1mA 1.1W(Ta) TSMT8 150°C(TJ) 30V

¥7.4425 

阶梯数 价格
100: ¥7.4425
500: ¥6.8809
1,000: ¥6.3893
3,000: ¥5.3361
3,000 对比
RQ1E100XNTR ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

N-Channel 30V 10A(Ta) ±20V 550mW(Ta) 10.5mΩ@10A,10V 150°C(TJ) 8-SMD

暂无价格 0 对比
RQ1E075XNTCR ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

7.5A(Ta) N-Channel 2.5V@1mA 1.1W(Ta) TSMT8 150°C(TJ) 30V

暂无价格 0 对比

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