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AOK30B60D1  与  IKW30N60H3  区别

型号 AOK30B60D1 IKW30N60H3
唯样编号 A36-AOK30B60D1 A3f-IKW30N60H3
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET IGBT晶体管
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
栅极—射极漏泄电流 - 100nA
电流-集电极(Ic)(最大值) - 60A
功率 - 187W
宽度 - 5.31mm
脉冲电流 - 集电极 (Icm) 96A -
IGBT类型 - 沟槽型场截止
电压-集射极击穿(最大值) - 600V
脉冲电流-集电极(Icm) - 120A
电压 - 集射极击穿(最大值) 600V -
电流 - 集电极(Ic)(最大值) 60A -
栅极/发射极最大电压 - ±20V
封装/外壳 TO-247 PG-TO247-3
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) 2.4V @ 15V,26A -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -40°C ~ 175°C(TJ)
配置 - Single
开关能量 1.1mJ(开),240µJ(关) 1.38mJ
不同 Vge,Ic时的 Vce(on) - 2.4V @ 15V,30A
在25 C的连续集电极电流 - 60A
长度 - 15.87mm
测试条件 400V,30A,10 欧姆,15V 400V,30A,10.5 欧姆,15V
高度 - 20.7mm
25°C时Td(开/关)值 - 21ns/207ns
反向恢复时间(trr) 120ns 38ns
Pd-功率耗散(Max) 208W -
输入类型 标准 标准
集电极—发射极最大电压 VCEO - 600V
系列 - HighSpeed3
25°C 时 Td(开/关)值 20ns/58ns -
集电极—射极饱和电压 - 1.95V
库存与单价
库存 0 240
工厂交货期 3 - 15天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOK30B60D1 AOS  数据手册 功率MOSFET

208W -55°C~150°C(TJ) TO-247

暂无价格 0 当前型号
STGW30NC60WD STMicro  数据手册 IGBT晶体管

TO-247-3

暂无价格 1,200 对比
IKW30N60H3 Infineon  数据手册 IGBT晶体管

IKW30N60H3FKSA1_-40°C ~ 175°C(TJ) PG-TO247-3 187W

暂无价格 240 对比
STGW20NC60VD STMicro  数据手册 IGBT晶体管

TO-247-3

暂无价格 60 对比
STGW30NC60WD STMicro  数据手册 IGBT晶体管

TO-247-3

暂无价格 0 对比
AOKS30B60D1 AOS  数据手册 IGBT晶体管

208W -55°C ~ 150°C(TJ) TO-247

暂无价格 0 对比

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