AOD7N65 与 R6004JND3TL1 区别
| 型号 | AOD7N65 | R6004JND3TL1 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-AOD7N65 | A33-R6004JND3TL1 | ||||||
| 制造商 | AOS | ROHM Semiconductor | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||
| 描述 | ||||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| Crss(pF) | 7 | - | ||||||
| Td(off)(ns) | 53 | - | ||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 1560mΩ@10V | 1.43Ω | ||||||
| ESD Diode | No | - | ||||||
| 漏源极电压Vds | 650V | 600V | ||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 178W | 60W | ||||||
| Qrr(nC) | 4300 | - | ||||||
| Qg-栅极电荷 | - | 10.5 nC | ||||||
| VGS(th) | 4.5 | - | ||||||
| Qgd(nC) | 8.2 | - | ||||||
| 栅极电压Vgs | 30V | 30V | ||||||
| FET类型 | N-Channel | - | ||||||
| Td(on)(ns) | 26 | - | ||||||
| 封装/外壳 | TO-252 | TO-252-3 | ||||||
| 连续漏极电流Id | 7A | 4A | ||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C | ||||||
| Ciss(pF) | 982 | - | ||||||
| 通道数量 | - | 1 Channel | ||||||
| 配置 | - | Single | ||||||
| Schottky Diode | No | - | ||||||
| Trr(ns) | 365 | - | ||||||
| Coss(pF) | 86 | - | ||||||
| Qg*(nC) | 19.6* | - | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 1,014 | 60 | ||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 21 - 28天 | ||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
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AOD7N65 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 650V 30V 7A 178W 1560mΩ@10V |
￥3.256
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1,014 | 当前型号 | ||||||
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R6004JND3TL1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252-3 600V 4A 1.43Ω 30V 60W -55°C~150°C |
暂无价格 | 290 | 对比 | ||||||
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R6004JND3TL1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252-3 600V 4A 1.43Ω 30V 60W -55°C~150°C |
￥3.1047
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60 | 对比 | ||||||
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R6004JND3TL1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252-3 600V 4A 1.43Ω 30V 60W -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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