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AOD7N65  与  R6004JND3TL1  区别

型号 AOD7N65 R6004JND3TL1
唯样编号 A36-AOD7N65 A3-R6004JND3TL1
制造商 AOS ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 7 -
Td(off)(ns) 53 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 1560mΩ@10V 1.43Ω
ESD Diode No -
漏源极电压Vds 650V 600V
Pd-功率耗散(Max) 178W 60W
Qrr(nC) 4300 -
Qg-栅极电荷 - 10.5 nC
VGS(th) 4.5 -
Qgd(nC) 8.2 -
栅极电压Vgs 30V 30V
FET类型 N-Channel -
Td(on)(ns) 26 -
封装/外壳 TO-252 TO-252-3
连续漏极电流Id 7A 4A
工作温度 - -55°C~150°C
Ciss(pF) 982 -
通道数量 - 1 Channel
配置 - Single
Schottky Diode No -
Trr(ns) 365 -
Coss(pF) 86 -
Qg*(nC) 19.6* -
库存与单价
库存 554 290
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
20+ :  ¥3.267
100+ :  ¥2.519
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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¥3.267 

阶梯数 价格
20: ¥3.267
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R6004JND3TL1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-252-3 600V 4A 1.43Ω 30V 60W -55°C~150°C

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阶梯数 价格
50: ¥3.1047
60 对比
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暂无价格 0 对比

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