首页 > 商品目录 > > > > AOD7N65代替型号比较

AOD7N65  与  SPD04N80C3  区别

型号 AOD7N65 SPD04N80C3
唯样编号 A36-AOD7N65 A-SPD04N80C3
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 7 -
宽度 - 6.22mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 1560mΩ@10V 1300mΩ
ESD Diode No -
上升时间 - 15ns
Qg-栅极电荷 - 31nC
Qgd(nC) 8.2 -
栅极电压Vgs 30V 2.1V,3.9V
RthJA max - 62.0K/W
Special Features - price/performance
Td(on)(ns) 26 -
封装/外壳 TO-252 DPAK (TO-252)
连续漏极电流Id 7A 4A
工作温度 - -55°C~150°C
Ciss(pF) 982 -
配置 - Single
QG (typ @10V) - 20.0 nC
Ptot max - 63.0W
长度 - 6.5mm
下降时间 - 12ns
Schottky Diode No -
高度 - 2.3mm
Trr(ns) 365 -
Budgetary Price €€/1k - 0.7
Td(off)(ns) 53 -
漏源极电压Vds 650V 800V
Moisture Level - 1 Ohms
Pd-功率耗散(Max) 178W 63W
Qrr(nC) 4300 -
VGS(th) 4.5 -
典型关闭延迟时间 - 72ns
FET类型 N-Channel N-Channel
Pin Count - 3.0Pins
Mounting - SMT
RthJC max - 2.0 K/W
通道数量 - 1Channel
系列 - CoolMOSC3
典型接通延迟时间 - 25ns
Coss(pF) 86 -
Qg*(nC) 19.6* -
库存与单价
库存 554 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥3.267
100+ :  ¥2.519
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOD7N65 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 650V 30V 7A 178W 1560mΩ@10V

¥3.267 

阶梯数 价格
20: ¥3.267
100: ¥2.519
554 当前型号
R6004JND3TL1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-252-3 600V 4A 1.43Ω 30V 60W -55°C~150°C

暂无价格 290 对比
R6004JND3TL1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-252-3 600V 4A 1.43Ω 30V 60W -55°C~150°C

¥3.1047 

阶梯数 价格
50: ¥3.1047
60 对比
SPD04N80C3ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPD04N80C3_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IPD60R1K5CEATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD60R1K5CE_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -40°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
SPD04N80C3 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPD04N80C3ATMA1_63W 1300mΩ 800V 4A DPAK (TO-252) N-Channel 2.1V,3.9V -55°C~150°C

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售