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AOD508  与  IRLR8743PBF  区别

型号 AOD508 IRLR8743PBF
唯样编号 A36-AOD508 A-IRLR8743PBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 135 W 39 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - TO-252AA
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 3mΩ@20A,10V 3.1mΩ@25A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 50W 135W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-252 D-Pak
连续漏极电流Id 70A 160A
工作温度 -55°C~175°C -55°C~175°C(TJ)
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.35V @ 100µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 4880pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 59nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.35V @ 100µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 4880pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 59nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOD508 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 30V ±20V 70A 50W 3mΩ@20A,10V -55°C~175°C

暂无价格 0 当前型号
AOD4132 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 30V 20V 85A 100W 4mΩ@10V

¥2.585 

阶梯数 价格
20: ¥2.585
100: ¥1.991
790 对比
AOD4132 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 30V 20V 85A 100W 4mΩ@10V

¥3.6735 

阶梯数 价格
1: ¥3.6735
100: ¥2.6471
1,000: ¥2.2785
2,500: ¥1.8
359 对比
IRLR7843TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 140W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 3.3mΩ@15A,10V N-Channel 30V 161A D-Pak

暂无价格 0 对比
IRLR8743TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 160A(Tc) ±20V 135W(Tc) 3.1mΩ@25A,10V -55°C~175°C(TJ) DPAK

暂无价格 0 对比
IRLR8743PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 135W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 3.1mΩ@25A,10V N-Channel 30V 160A D-Pak

暂无价格 0 对比

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