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AOD4S60  与  R6004ENDTL  区别

型号 AOD4S60 R6004ENDTL
唯样编号 A36-AOD4S60 A33-R6004ENDTL-0
制造商 AOS ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 4A CPT3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 0.75 -
功率耗散(最大值) - 20W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 900mΩ@10V -
ESD Diode No -
Qgd(nC) 1.8 -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 250pF @ 25V
栅极电压Vgs 30V -
Td(on)(ns) 18 -
封装/外壳 TO-252 CPT3
连续漏极电流Id 4A -
工作温度 - 150°C(TJ)
Ciss(pF) 263 -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 980 毫欧 @ 1.5A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
Schottky Diode No -
Trr(ns) 177 -
Td(off)(ns) 40 -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 600V -
Pd-功率耗散(Max) 56.8W -
Qrr(nC) 1500 -
VGS(th) 4.1 -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 1mA
25°C时电流-连续漏极(Id) - 4A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 600V
Coss(pF) 21 -
Qg*(nC) 6* -
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) - 15nC @ 10V
库存与单价
库存 0 2,200
工厂交货期 3 - 15天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
40+ :  ¥4.7338
50+ :  ¥4.5038
100+ :  ¥4.2738
500+ :  ¥4.063
1,000+ :  ¥3.8618
2,000+ :  ¥3.5839
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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TO-252

暂无价格 0 当前型号
R6004ENDTL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

CPT3

¥4.7338 

阶梯数 价格
40: ¥4.7338
50: ¥4.5038
100: ¥4.2738
500: ¥4.063
1,000: ¥3.8618
2,000: ¥3.5839
2,200 对比
STD9NM60N STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

¥3.542 

阶梯数 价格
20: ¥3.542
100: ¥2.959
1,250: ¥2.684
2,037 对比
R6004ENDTL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

CPT3

¥4.7338 

阶梯数 价格
40: ¥4.7338
50: ¥4.5038
100: ¥4.2738
500: ¥4.063
1,000: ¥3.8618
1,699 对比
STD5NM60T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

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