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AOD4S60  与  STD7NM60N  区别

型号 AOD4S60 STD7NM60N
唯样编号 A36-AOD4S60 A3-STD7NM60N
制造商 AOS STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 600 V 0.9 Ohm 14 nC 45 W Silicon SMT Mosfet - TO-252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 0.75 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 900mΩ@10V 900mΩ@2.5A,10V
ESD Diode No -
Qgd(nC) 1.8 -
栅极电压Vgs 30V ±25V
Td(on)(ns) 18 -
封装/外壳 TO-252 DPAK
连续漏极电流Id 4A 5A
工作温度 - 150°C(TJ)
Ciss(pF) 263 -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
Schottky Diode No -
Trr(ns) 177 -
Td(off)(ns) 40 -
漏源极电压Vds 600V 600V
Pd-功率耗散(Max) 56.8W 45W(Tc)
Qrr(nC) 1500 -
VGS(th) 4.1 -
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 - MDmesh™ II
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 363pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 14nC @ 10V
Coss(pF) 21 -
Qg*(nC) 6* -
库存与单价
库存 0 10,000
工厂交货期 3 - 15天 5 - 7天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOD4S60 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 600V 30V 4A 56.8W 900mΩ@10V

暂无价格 0 当前型号
STD5NM60T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 20,000 对比
STD7NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

±25V 45W(Tc) 900mΩ@2.5A,10V 150°C(TJ) DPAK N-Channel 600V 5A

暂无价格 10,000 对比
STD9NM60N STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

¥3.432 

阶梯数 价格
20: ¥3.432
100: ¥2.86
1,250: ¥2.596
2,037 对比
STD5NM60T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比
IPD60R950C6 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD60R950C6ATMA1_-55°C~150°C(TJ) PG-TO252-3 600V 4.4A 860mΩ 20V 37W N-Channel

暂无价格 0 对比

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