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AOD4S60  与  IPD60R950C6  区别

型号 AOD4S60 IPD60R950C6
唯样编号 A36-AOD4S60 A-IPD60R950C6
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 0.75 -
宽度 - 6.22mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 900mΩ@10V 860mΩ
ESD Diode No -
上升时间 - 8ns
Qg-栅极电荷 - 13nC
Qgd(nC) 1.8 -
栅极电压Vgs 30V 20V
Td(on)(ns) 18 -
封装/外壳 TO-252 PG-TO252-3
连续漏极电流Id 4A 4.4A
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
Ciss(pF) 263 -
配置 - Single
长度 - 6.5mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
下降时间 - 13ns
Schottky Diode No -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 130µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 280pF @ 100V
高度 - 2.3mm
Trr(ns) 177 -
Td(off)(ns) 40 -
漏源极电压Vds 600V 600V
Pd-功率耗散(Max) 56.8W 37W
Qrr(nC) 1500 -
VGS(th) 4.1 -
典型关闭延迟时间 - 60ns
FET类型 N-Channel N-Channel
通道数量 - 1Channel
系列 - CoolMOSC6
典型接通延迟时间 - 10ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 13nC @ 10V
Coss(pF) 21 -
Qg*(nC) 6* -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOD4S60 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

暂无价格 0 当前型号
R6004ENDTL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

CPT3

¥4.7338 

阶梯数 价格
40: ¥4.7338
50: ¥4.5038
100: ¥4.2738
500: ¥4.063
1,000: ¥3.8618
2,000: ¥3.5839
2,200 对比
STD9NM60N STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

¥3.542 

阶梯数 价格
20: ¥3.542
100: ¥2.959
1,250: ¥2.684
2,037 对比
R6004ENDTL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

CPT3

¥4.7338 

阶梯数 价格
40: ¥4.7338
50: ¥4.5038
100: ¥4.2738
500: ¥4.063
1,000: ¥3.8618
1,699 对比
STD5NM60T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比
IPD60R950C6 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD60R950C6ATMA1_PG-TO252-3 6.5mm

暂无价格 0 对比

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